英偉達(dá)第二財(cái)季凈利潤(rùn)同比暴增843%！

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開(kāi)，詳見(jiàn)后文

當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月23日，英偉達(dá)公布最新財(cái)報(bào)顯示，英偉達(dá)第二財(cái)季營(yíng)收為135.07億美元，與上年同期的67.04億美元相比增長(zhǎng)101%，與上一財(cái)季的71.92億美元相比增長(zhǎng)88%，創(chuàng)下歷史紀(jì)錄；凈利潤(rùn)為61.88億美元，與上年同期的6.56億美元相比增長(zhǎng)843%，與上一財(cái)季的20.43億美元相比增長(zhǎng)203%。

(資料圖)

其中，英偉達(dá)旗下數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)第二財(cái)季營(yíng)收為103.2億美元，與上年同期相比增長(zhǎng)171%，與上一財(cái)季相比增長(zhǎng)141%，創(chuàng)下歷史紀(jì)錄；英偉達(dá)旗下游戲業(yè)務(wù)第二財(cái)季營(yíng)收為24.9億美元，與上年同期相比增長(zhǎng)22%，與上一財(cái)季相比增長(zhǎng)11%。

英偉達(dá)第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)支出為26.62億美元，與上年同期的24.16億美元相比增長(zhǎng)10%，與上一財(cái)季的25.08億美元相比增長(zhǎng)6%。其中，研發(fā)支出為20.40億美元，上年同期為18.24億美元。

英偉達(dá)第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為68.00億美元，與上年同期的4.99億美元相比增長(zhǎng)1263%，與上一財(cái)季的21.40億美元相比增長(zhǎng)218%。此外，英偉達(dá)預(yù)計(jì)，2024財(cái)年第三財(cái)季該公司的營(yíng)收將達(dá)160億美元，上下浮動(dòng)2%，這一業(yè)績(jī)展望超出分析師此前預(yù)期的125億美元。

分部來(lái)看，數(shù)據(jù)中心收入為103億美金，同比增長(zhǎng)171%，環(huán)比增長(zhǎng)141%，增長(zhǎng)來(lái)自CSP和大型互聯(lián)網(wǎng)客戶，由LLM和生成式AI對(duì)Hopper和Ampere GPU的需求驅(qū)動(dòng)。其中Hopper平臺(tái)放量帶來(lái)計(jì)算部分（加速卡）收入同環(huán)比增長(zhǎng)為195%和157%，而IB架構(gòu)的配套需求使得網(wǎng)絡(luò)（Mellanox）收入同環(huán)比增長(zhǎng)94% 、85%。

游戲業(yè)務(wù)同比增長(zhǎng)22%，環(huán)比增長(zhǎng)11%，主要來(lái)自RTX 40系列渠道庫(kù)存去化后的拉貨；專業(yè)可視化業(yè)務(wù)同比下滑24%，環(huán)比增長(zhǎng)28%，影響因素主要有渠道庫(kù)存和Ada Lovelace架構(gòu)RTX產(chǎn)品爬坡；汽車業(yè)務(wù)同比增長(zhǎng)15%，環(huán)比下滑15%，影響因素主要有自動(dòng)駕駛的持續(xù)滲透和汽車需求下滑。

值得關(guān)注的是，英偉達(dá)L40S不受CoWoS產(chǎn)能限制，正在向各大服務(wù)器廠商發(fā)貨，戴爾、惠普、聯(lián)想等企業(yè)很快將提供近100種英偉達(dá)AI服務(wù)器配置，貢獻(xiàn)未來(lái)的收入增長(zhǎng)。

GH200超級(jí)芯片進(jìn)入全面生產(chǎn)階段，將于本季度在OEM服務(wù)器上市，并向多個(gè)超算客戶發(fā)貨。使用三星HBM3E的第二代GH200將于24年二季度上市，DGX GH200系統(tǒng)將在23年底率先提供給谷歌云、Meta和微軟。

Spectrum X由以太網(wǎng)交換機(jī)、Bluefield 3和軟件組成，整體AI性能和能效相比傳統(tǒng)以太網(wǎng)提高了1.5倍。

分析師指出，英偉達(dá)GPU需求可見(jiàn)性將延續(xù)到明年，而隨著供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)和交期縮短，公司在未來(lái)幾個(gè)季度和下一財(cái)年的供應(yīng)將繼續(xù)增加。此外，新的L40S GPU將有助于滿足從云到企業(yè)對(duì)多種類型工作負(fù)載不斷增長(zhǎng)的需求。

此外，英偉達(dá)還額外批準(zhǔn)了250億美元的股票回購(gòu)。截至發(fā)稿，英偉達(dá)盤后股價(jià)漲近10%，收市后價(jià)格創(chuàng)歷史新高。

來(lái)源：今日半導(dǎo)體

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè)，國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng)，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng)；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開(kāi)。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進(jìn)展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點(diǎn)企業(yè)或園區(qū)）

最新日程如下

*以上演講報(bào)告列表將隨著會(huì)議邀請(qǐng)工作進(jìn)展不斷更新，最終版以會(huì)場(chǎng)發(fā)布為準(zhǔn)。

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目表（月度更新）

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中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸電子特氣項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目地圖（月度更新）

中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目分布圖（月度更新）

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